Влияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.18 Моск. ин-т радиотехники, электроники и автоматики. Исавердиев, Андрей Альбертович. Москва 1989. купить

Регистрация

Вход

Изготовление электронных копий любых изданий

	Автор: Исавердиев, Андрей Альбертович
	Книга ID: 8211 Влияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.18 Моск. ин-т радиотехники, электроники и автоматики Тематика, ключевые слова: Кристаллография, физика кристаллов. Сведения об издании: Москва 1989 19 с. Язык: rus	Цена не определена. Для уточнения: WhatsApp или [email protected]