Низкотемпературная технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AIN" : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 Санкт-Петербург. гос. электротехн. ун-т. Костромин, Сергей Викторович. Санкт-Петербург 1997. купить

Регистрация

Вход

Изготовление электронных копий любых изданий

	Автор: Костромин, Сергей Викторович
	Книга ID: 59431 Низкотемпературная технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AIN" : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 Санкт-Петербург. гос. электротехн. ун-т Тематика, ключевые слова: Технология полупроводников и материалов электронной техники. Сведения об издании: Санкт-Петербург 1997 16 с. Язык: rus	Цена не определена. Для уточнения: WhatsApp или [email protected]