Исследование широкозонных полупроводников GaN, AiN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН. Смирнов, Александр Николаевич. Санкт-Петербург 2001. купить

Регистрация

Вход

Изготовление электронных копий любых изданий

	Автор: Смирнов, Александр Николаевич
	Книга ID: 286027 Исследование широкозонных полупроводников GaN, AiN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН Тематика, ключевые слова: Физика конденсированного состояния. Сведения об издании: Санкт-Петербург 2001 24 с. Язык: rus	Цена не определена. Для уточнения: WhatsApp или [email protected]