Исследование закономерностей роста буферных слоев и способы улучшения качества тонких пленок арсенида галлия на кремнии при молекулярно-лучевой эпитаксии : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01 Физ.-технол. ин-т. Иошкин, Владимир Андреевич. Москва 1994. купить

Регистрация

Вход

Изготовление электронных копий любых изданий

	Автор: Иошкин, Владимир Андреевич
	Книга ID: 27017 Исследование закономерностей роста буферных слоев и способы улучшения качества тонких пленок арсенида галлия на кремнии при молекулярно-лучевой эпитаксии : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01 Физ.-технол. ин-т Тематика, ключевые слова: Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника. Сведения об издании: Москва 1994 20 с. Язык: rus	Цена не определена. Для уточнения: WhatsApp или [email protected]