|
Книга ID: 2419733
Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 Моск. гос. акад. тонкой хим. технологии им. М.В. Ломоносова
Тематика, ключевые слова:
Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Электрические свойства -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками.
Квантовая электроника -- Лазеры, лазерные диоды -- Полупроводниковые лазерные диоды -- Производство.
Сведения об издании:
Москва 2004
23 с.
Язык:
rus
|
|
