|
Книга ID: 19513
Дефектообразование и проникновение примеси при низкоэнергетичном ионном легировании кремния : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 АН СССР. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников
Тематика, ключевые слова:
Физика полупроводников и диэлектриков.
Сведения об издании:
Новосибирск 1989 14 с.
Язык:
rus
|
|