|
Книга ID: 168172
Низкотемпературная технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AlN" : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
Тематика, ключевые слова:
Технология полупроводников и материалов электронной техники. эпитаксия низкотемпературная.
Сведения об издании:
Санкт-Петербург 1997 216 с.
Язык:
rus
|
|