Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs на S1 из раствора-расплава : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Рос. АН Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. Дерягин, Николай Германович. Санкт-Петербург 1995. купить

Регистрация

Вход

Изготовление электронных копий любых изданий

	Автор: Дерягин, Николай Германович
	Книга ID: 14706 Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs на S1 из раствора-расплава : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Рос. АН Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе Тематика, ключевые слова: Физика полупроводников и диэлектриков. Сведения об издании: Санкт-Петербург 1995 20 с. Язык: rus	Цена не определена. Для уточнения: WhatsApp или [email protected]